电子工程专辑

FinFET纳电子学与量子芯片的新进展（上）

摘要:综述了后摩尔时代中两大发展热点:鳍式场效应晶体管(FinFET)纳电子学和基于量子计算新算法的量子芯片的发展历程和近两年的最新进展｡在FinFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展现状,包括FinFET的发展､10nm和7nm ...
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TSMC Offers Its FinFET Technology to Academia for IC Design Skills Development

HSINCHU, Taiwan, R.O.C., Feb. 3, 2023 – TSMC today announced the launch of its “TSMC University FinFET Program,” aimed at developing future IC design talent for the industry and empowering academic ...
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从1967年到2033年：FinFET的惊人进化史

FinFET(鳍式场效应晶体管)代表了半导体技术的一项革命性突破，与传统的平面MOSFET设计形成了显著区别。这种三维晶体管架构已成为现代半导体制造的基础，尤其是在器件尺寸不断缩小、性能和能效要求不断提升的背景下。 历史发展 FinFET技术的发展历程跨越数十 ...