为应对纳米级晶体管在高温与掺杂条件下的性能退化问题,研究人员通过Sentaurus TCAD工具系统分析了堆叠纳米片FET(SNSFET)、H ...
多桥核心绝缘体纳米片FET器件性能优化及电路应用研究。基于Sentaurus TCAD三维模拟,分析了三叠层MBCI-NSFET的DC特性(I ON=10?5 A ...